RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
74
Около 55% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
74
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.3
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
1616
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link