RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3731
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link