RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2409
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link