RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
54
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
33
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2867
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link