RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
54
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2672
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link