RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
54
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
38
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3206
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link