RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3273
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link