RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
63
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
17.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3728
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link