RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3434
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link