Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 63

Около -125% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.3 8.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.3 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 28
Скорость чтения, Гб/сек

8.1 17.3
Скорость записи, Гб/сек

7.5 15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1945 3914

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kingston 9905678-105.A00G 8GB

Kingston 9905678-105.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB

A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000

модули RAM