RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
63
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
52
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
10.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2169
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link