RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
63
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
43
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
11.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2532
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link