Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    21 left arrow 63
    Около -200% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.8 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.5 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    63 left arrow 21
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.1 left arrow 18.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 13.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1945 left arrow 3168
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения