RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
34
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
20.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3343
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link