Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 49

Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.3 10

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.9 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 34
Скорость чтения, Гб/сек

10.0 14.3
Скорость записи, Гб/сек

8.2 10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2116 2201

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

модули RAM

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston 9905702-002.A00G 8GB

Kingston 9905702-002.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

модули RAM