RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.3
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2545
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link