RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около 41% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
46
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
13.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2961
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link