RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2336
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link