RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3044
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link