RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
59
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
59
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1968
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
MDT Technologies GmbH MDT 1GB DDR2-66 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link