RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3257
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link