RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
42
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2429
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link