RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
122
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
122
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
9.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1411
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link