RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
49
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
49
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
10.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2504
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link