RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
104
Около -189% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3313
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link