RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
104
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3500
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link