RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
104
Около -271% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3446
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link