RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
104
Около -174% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2471
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link