RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
104
Около -271% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3485
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link