RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
104
Около -225% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3399
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link