RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
104
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.7
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
52
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
10.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2260
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link