Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.3

Среднее значение в тестах

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

59 104

Около -76% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.6 2,404.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

104 59
Скорость чтения, Гб/сек

3,192.0 17.3
Скорость записи, Гб/сек

2,404.5 7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

786 1954

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston 9905663-008.A00G 16GB

Kingston 9905663-008.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB

Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

модули RAM

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB

Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB

модули RAM