RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
104
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
43
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2128
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link