Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 14.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,404.5 left arrow 10.7
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 104
    Около -247% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    23400 left arrow 6400
    Около 3.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    104 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,192.0 left arrow 14.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,404.5 left arrow 10.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 23400
Other
  • Описание
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    786 left arrow 2935
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения