RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
74
Около -147% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2882
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link