RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
22.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
74
Около -131% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
22.6
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3837
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link