RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 17.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,201.1 left arrow 14.6
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 74
    Около -222% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    74 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,178.4 left arrow 17.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,201.1 left arrow 14.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    508 left arrow 3260

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
модули RAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
модули RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
модули RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
модули RAM
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
модули RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
модули RAM