RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Kingston 9905624-044.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
74
Около -164% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.1
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
12.8
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
1974
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link