RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Kingston 9905664-010.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
74
Около -196% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
13.9
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
1944
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link