RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
74
Около -124% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3181
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link