RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
74
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
54
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
9.3
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
1904
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link