RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
74
Около -174% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2173
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link