RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
74
Около -106% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2664
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641162 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link