Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 15.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,201.1 left arrow 11.3
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 74
    Около -111% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    74 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,178.4 left arrow 15.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,201.1 left arrow 11.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    508 left arrow 2631
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения