RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
73
Около -232% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3066
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston KHX16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link