RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
73
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3075
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link