RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
73
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2562
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link