RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
73
Около -192% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.3
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3731
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link