RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
69
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
12.8
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2089
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link