RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
69
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2795
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link